AUIRFR8401TRL Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 81+ | 152.96 грн |
| 96+ | 128.32 грн |
| 113+ | 109.84 грн |
| 500+ | 92.56 грн |
| 1000+ | 85.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRFR8401TRL Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AUIRFR8401TRL за ціною від 66.58 грн до 205.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AUIRFR8401TRL | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 4.3mOhms 100A |
на замовлення 2062 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AUIRFR8401TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
AUIRFR8401TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
AUIRFR8401TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
AUIRFR8401TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |

