AUIRFR8405

AUIRFR8405 Infineon Technologies


auirfr8405.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b6216514a5 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5171 pF @ 25 V
на замовлення 2878 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
258+76.97 грн
Мінімальне замовлення: 258
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRFR8405 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 163W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5171 pF @ 25 V.

Інші пропозиції AUIRFR8405 за ціною від 76.97 грн до 76.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AUIRFR8405 AUIRFR8405 Виробник : International Rectifier INFN-S-A0008053586-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5171 pF @ 25 V
на замовлення 13857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
258+76.97 грн
Мінімальне замовлення: 258
AUIRFR8405 AUIRFR8405 Виробник : Infineon / IR Infineon_AUIRFR8405_DS_v01_01_EN-1730888.pdf MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.98mOhms 100A
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AUIRFR8405 AUIRFR8405 Виробник : Infineon Technologies infineon-auirfr8405-ds-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 211A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
AUIRFR8405 AUIRFR8405 Виробник : Infineon Technologies auirfr8405.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b6216514a5 Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5171 pF @ 25 V
товар відсутній