AUIRFR8405TRL Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5171 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 90.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRFR8405TRL Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 163W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5171 pF @ 25 V.
Інші пропозиції AUIRFR8405TRL за ціною від 83.15 грн до 186.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AUIRFR8405TRL | Виробник : International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 163W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5171 pF @ 25 V |
на замовлення 2293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AUIRFR8405TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 211A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AUIRFR8405TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 211A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AUIRFR8405TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 211A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AUIRFR8405TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 163W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5171 pF @ 25 V |
на замовлення 3285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AUIRFR8405TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 211A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
AUIRFR8405TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 211A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| AUIRFR8405TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 211A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| AUIRFR8405TRL | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 150A; Idm: 804A; 163W; DPAK Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 163W Polarisation: unipolar Gate charge: 155nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 804A Case: DPAK Drain-source voltage: 40V Drain current: 150A On-state resistance: 1.98mΩ кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
AUIRFR8405TRL | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.98mOhms 100A |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| AUIRFR8405TRL | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 150A; Idm: 804A; 163W; DPAK Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 163W Polarisation: unipolar Gate charge: 155nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 804A Case: DPAK Drain-source voltage: 40V Drain current: 150A On-state resistance: 1.98mΩ |
товар відсутній |