AUIRFR9024NTRL INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - AUIRFR9024NTRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 164.23 грн |
| 10+ | 122.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRFR9024NTRL INFINEON
Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AUIRFR9024NTRL за ціною від 80.18 грн до 336.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AUIRFR9024NTRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
AUIRFR9024NTRL | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFR9024NTRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
 |
AUIRFR9024NTRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| AUIRFR9024NTRL | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8A; Idm: -44A; 38W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -8A Power dissipation: 38W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -44A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
 |
AUIRFR9024NTRL | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
AUIRFR9024NTRL | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| AUIRFR9024NTRL | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8A; Idm: -44A; 38W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -8A Power dissipation: 38W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -44A |
товару немає в наявності |