AUIRFS3107TRL Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 230A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 33+ | 378.32 грн |
| 36+ | 347.06 грн |
| 37+ | 343.59 грн |
| 50+ | 293.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRFS3107TRL Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V, Power Dissipation (Max): 370W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Grade: Automotive, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AUIRFS3107TRL за ціною від 269.52 грн до 564.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AUIRFS3107TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
AUIRFS3107TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
AUIRFS3107TRL | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 75V 230A 3 mOhm Automotive MOSFET |
на замовлення 311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
AUIRFS3107TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
AUIRFS3107TRL | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFS3107TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
AUIRFS3107TRL | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFS3107TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| AUIRFS3107TRL | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
AUIRFS3107TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
AUIRFS3107TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |


