AUIRFS4127TRL

AUIRFS4127TRL Infineon Technologies


Infineon_AUIRFS4127_DS_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(120V 300V)
на замовлення 2862 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+487.71 грн
10+361.36 грн
100+263.36 грн
500+228.53 грн
800+219.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRFS4127TRL Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V.

Інші пропозиції AUIRFS4127TRL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AUIRFS4127TRL AUIRFS4127TRL Виробник : Infineon Technologies auirfs4127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b6cec114cd Description: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.