Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AUIRFS4127TRL
AUIRFS4127TRL

AUIRFS4127TRL Infineon Technologies

1289920511968756auirfs4127.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+260.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRFS4127TRL Infineon Technologies

Description: INFINEON - AUIRFS4127TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.0186 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 72A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0186ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0186ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції AUIRFS4127TRL за ціною від 239.90 грн до 578.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AUIRFS4127TRL AUIRFS4127TRL Виробник : Infineon Technologies 1289920511968756auirfs4127.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+280.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS4127TRL AUIRFS4127TRL Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS INFN-S-A0002955531-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFS4127TRL - AUIRFS4127 120V-300V N-CHANNEL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+330.53 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS4127TRL AUIRFS4127TRL Виробник : INFINEON 2849730.pdf Description: INFINEON - AUIRFS4127TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.0186 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0186ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0186ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+402.65 грн
100+355.43 грн
500+265.47 грн
1000+239.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS4127TRL AUIRFS4127TRL Виробник : Infineon Technologies Infineon_AUIRFS4127_DS_v01_01_EN-1730919.pdf MOSFETs MOSFET_(120V 300V)
на замовлення 3242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+530.37 грн
10+447.98 грн
25+347.45 грн
100+324.49 грн
250+306.13 грн
500+260.97 грн
800+245.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS4127TRL AUIRFS4127TRL Виробник : INFINEON 2849730.pdf Description: INFINEON - AUIRFS4127TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.0186 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0186ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+578.65 грн
10+402.65 грн
100+355.43 грн
500+265.47 грн
1000+239.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS4127TRL AUIRFS4127TRL Виробник : Infineon Technologies 1289920511968756auirfs4127.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS4127TRL AUIRFS4127TRL Виробник : Infineon Technologies 1289920511968756auirfs4127.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 72A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS4127TRL AUIRFS4127TRL Виробник : Infineon Technologies auirfs4127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b6cec114cd Description: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.