AUIRFS4127TRL Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRFS4127TRL Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRFS4127TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.0186 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 72A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0186ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0186ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції AUIRFS4127TRL за ціною від 322.51 грн до 322.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AUIRFS4127TRL | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
AUIRFS4127TRL | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(120V 300V) |
на замовлення 2862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
AUIRFS4127TRL | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFS4127TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.0186 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0186ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
AUIRFS4127TRL | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFS4127TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.0186 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0186ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0186ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
AUIRFS4127TRL | ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFS4127TRL - AUIRFS4127 120V-300V N-CHANNELtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 73 шт В кошику од. на суму грн. |
| AUIRFS4127TRL |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH Si 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 322.51 грн |
| AUIRFS4127TRL |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(120V 300V)
MOSFETs MOSFET_(120V 300V)
на замовлення 2862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| AUIRFS4127TRL |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFS4127TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.0186 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0186ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - AUIRFS4127TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.0186 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0186ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AUIRFS4127TRL |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFS4127TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.0186 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0186ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0186ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - AUIRFS4127TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.0186 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0186ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0186ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AUIRFS4127TRL |
![]() |
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFS4127TRL - AUIRFS4127 120V-300V N-CHANNEL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFS4127TRL - AUIRFS4127 120V-300V N-CHANNEL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




