AUIRFS6535TRL Infineon Technologies
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 334.29 грн |
| 10+ | 276.20 грн |
| 25+ | 227.25 грн |
| 100+ | 195.33 грн |
| 250+ | 183.93 грн |
| 500+ | 173.29 грн |
| 800+ | 139.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRFS6535TRL Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 300V 19A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 210W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V.
Інші пропозиції AUIRFS6535TRL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
AUIRFS6535TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 300V 19A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|
|
AUIRFS6535TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 300V 19A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|
|
AUIRFS6535TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 300V 19A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |


