Інші пропозиції AUIRFS8409-7P за ціною від 413.03 грн до 950.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AUIRFS8409-7P | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AUIRFS8409-7P | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AUIRFS8409-7P | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AUIRFS8409-7P | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AUIRFS8409-7P | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AUIRFS8409-7P | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFS8409-7P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 4785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AUIRFS8409-7P | Infineon Technologies |
MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A |
на замовлення 6786 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| AUIRFS8409-7P |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 41+ | 871.00 грн |
| 100+ | 827.39 грн |
| AUIRFS8409-7P |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 41+ | 871.00 грн |
| 100+ | 827.39 грн |
| 500+ | 783.79 грн |
| 1000+ | 713.74 грн |
| 10000+ | 621.94 грн |
| AUIRFS8409-7P |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 41+ | 871.00 грн |
| 100+ | 827.39 грн |
| AUIRFS8409-7P |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 41+ | 871.00 грн |
| 100+ | 827.39 грн |
| 500+ | 783.79 грн |
| 1000+ | 713.74 грн |
| AUIRFS8409-7P |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 933.28 грн |
| 50+ | 515.45 грн |
| AUIRFS8409-7P |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFS8409-7P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - AUIRFS8409-7P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 950.57 грн |
| 5+ | 748.29 грн |
| 10+ | 545.18 грн |
| 50+ | 465.77 грн |
| 100+ | 421.49 грн |
| 250+ | 413.03 грн |
| AUIRFS8409-7P |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A
MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A
на замовлення 6786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 950.57 грн |
| 10+ | 536.58 грн |
| 100+ | 443.34 грн |






