Продукція > INFINEON > AUIRFS8409-7TRL
AUIRFS8409-7TRL

AUIRFS8409-7TRL INFINEON


IRSDS18595-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFS8409-7TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 550 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+296.28 грн
500+223.00 грн
1000+201.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRFS8409-7TRL INFINEON

Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AUIRFS8409-7TRL за ціною від 194.13 грн до 513.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AUIRFS8409-7TRL AUIRFS8409-7TRL Виробник : Infineon Technologies 8auirfs8409-7p.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 39200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+304.00 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS8409-7TRL AUIRFS8409-7TRL Виробник : Infineon Technologies 8auirfs8409-7p.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+374.16 грн
41+300.96 грн
61+202.33 грн
500+194.13 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS8409-7TRL AUIRFS8409-7TRL Виробник : Infineon Technologies auirfs8409-7p.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b745e314f0 Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+402.68 грн
10+270.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS8409-7TRL AUIRFS8409-7TRL Виробник : Infineon Technologies 8auirfs8409-7p.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+431.05 грн
10+345.63 грн
25+229.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS8409-7TRL AUIRFS8409-7TRL Виробник : INFINEON IRSDS18595-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFS8409-7TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 550 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+467.11 грн
10+354.87 грн
100+296.28 грн
500+223.00 грн
1000+201.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS8409-7TRL AUIRFS8409-7TRL Виробник : Infineon Technologies 8auirfs8409-7p.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+485.36 грн
33+371.64 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS8409-7TRL AUIRFS8409-7TRL Виробник : Infineon Technologies auirfs8409_7p-1730845.pdf MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+513.26 грн
10+346.87 грн
100+232.48 грн
250+229.53 грн
800+217.03 грн
2400+215.55 грн
4800+211.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS8409-7TRL AUIRFS8409-7TRL Виробник : Infineon Technologies 8auirfs8409-7p.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS8409-7TRL AUIRFS8409-7TRL Виробник : Infineon Technologies 8auirfs8409-7p.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS8409-7TRL AUIRFS8409-7TRL Виробник : Infineon Technologies auirfs8409-7p.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b745e314f0 Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.