AUIRFSA8409-7TRL Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 523A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 523A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 241.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRFSA8409-7TRL Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRFSA8409-7TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 523 A, 0.0005 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 523A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції AUIRFSA8409-7TRL за ціною від 245.25 грн до 574.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AUIRFSA8409-7TRL | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFSA8409-7TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 523 A, 0.0005 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 523A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AUIRFSA8409-7TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 523A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 523A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AUIRFSA8409-7TRL | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AUIRFSA8409-7TRL | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFSA8409-7TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 523 A, 0.0005 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 523A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AUIRFSA8409-7TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 523A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
AUIRFSA8409-7TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 523A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |