AUIRFSL3206 International Rectifier
Виробник: International RectifierDescription: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-262
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 160+ | 147.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRFSL3206 International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Supplier Device Package: TO-262, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AUIRFSL3206
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AUIRFSL3206 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
AUIRFSL3206 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 60V 210A 3 mOhm Automotive MOSFET |
товару немає в наявності |