AUIRFSL4010 Infineon


auirfs4010.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b6a9e114c3
Виробник: Infineon

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRFSL4010 Infineon

Description: MOSFET N CH 100V 180A TO262, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: TO-262, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Packaging: Tube.

Інші пропозиції AUIRFSL4010

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
AUIRFSL4010 AUIRFSL4010 Infineon Technologies auirfs4010.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b6a9e114c3 Description: MOSFET N CH 100V 180A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFSL4010 AUIRFSL4010 Infineon Technologies Infineon_AUIRFS4010_DS_v02_02_EN.pdf MOSFETs Automotive MOSFET 10 hm, 143 nC Qg, D2Pa
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFSL4010 auirfs4010.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b6a9e114c3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 100V 180A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFSL4010 Infineon_AUIRFS4010_DS_v02_02_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Automotive MOSFET 10 hm, 143 nC Qg, D2Pa
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.