AUIRFSL8407 International Rectifier
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-262
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRFSL8407 International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Supplier Device Package: TO-262, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AUIRFSL8407
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
AUIRFSL8407 | Infineon Technologies |
MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 1.4mOhm 195A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
AUIRFSL8407 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Power dissipation: 230W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| AUIRFSL8407 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 1.4mOhm 195A
MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 1.4mOhm 195A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRFSL8407 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.




