AUIRFSL8407 International Rectifier
Виробник: International RectifierDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 59+ | 383.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRFSL8407 International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Supplier Device Package: TO-262, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V.
Інші пропозиції AUIRFSL8407 за ціною від 319.10 грн до 581.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AUIRFSL8407 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
AUIRFSL8407 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
AUIRFSL8407 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; TO262 Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A On-state resistance: 1.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 230W Polarisation: unipolar Gate charge: 150nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO262 кількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
AUIRFSL8407 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 1.4mOhm 195A |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
AUIRFSL8407 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; TO262 Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A On-state resistance: 1.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 230W Polarisation: unipolar Gate charge: 150nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO262 |
товару немає в наявності |