Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > AUIRFSL8407
AUIRFSL8407

AUIRFSL8407 International Rectifier

IRSDS19245-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+403.36 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRFSL8407 International Rectifier

Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Supplier Device Package: TO-262, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V.

Інші пропозиції AUIRFSL8407 за ціною від 335.81 грн до 612.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AUIRFSL8407 AUIRFSL8407 Виробник : Infineon Technologies auirfs8407.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b711f614e1 Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+612.13 грн
10+404.75 грн
100+335.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFSL8407 AUIRFSL8407 Виробник : Infineon Technologies 403auirfs8407.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFSL8407 AUIRFSL8407 Виробник : Infineon Technologies auirfs8407-1730813.pdf MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 1.4mOhm 195A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFSL8407 AUIRFSL8407 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBE382C02195EA&compId=AUIRFSL8407.pdf?ci_sign=4c0550a9897f895e27738a49f082a991e26f4267 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO262
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 1.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.