
AUIRL1404ZSTRL International Rectifier

Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
156+ | 135.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRL1404ZSTRL International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AUIRL1404ZSTRL за ціною від 126.54 грн до 346.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AUIRL1404ZSTRL | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
AUIRL1404ZSTRL | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
AUIRL1404ZSTRL | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
AUIRL1404ZSTRL | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
AUIRL1404ZSTRL | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 790A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 130A Pulsed drain current: 790A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
AUIRL1404ZSTRL | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
AUIRL1404ZSTRL | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
AUIRL1404ZSTRL | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 790A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 130A Pulsed drain current: 790A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |