AUIRL7736M2TR

AUIRL7736M2TR Infineon Technologies


auirl7736m2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bad363154c Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 179A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric M4
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 179A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5055 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4800+106.14 грн
Мінімальне замовлення: 4800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRL7736M2TR Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 179A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric M4, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 179A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 67A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA, Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5055 pF @ 25 V.

Інші пропозиції AUIRL7736M2TR за ціною від 99.98 грн до 246.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AUIRL7736M2TR AUIRL7736M2TR Виробник : Infineon Technologies auirl7736m2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355bad363154c Description: MOSFET N-CH 40V 179A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric M4
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 179A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5055 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+227.2 грн
10+ 183.73 грн
100+ 148.65 грн
500+ 124.01 грн
1000+ 106.18 грн
2000+ 99.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
AUIRL7736M2TR AUIRL7736M2TR Виробник : Infineon Technologies auirl7736m2-1731002.pdf MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 3mOhms
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+246.59 грн
10+ 204.21 грн
25+ 169.62 грн
100+ 143.78 грн
250+ 142.45 грн
500+ 127.88 грн
1000+ 103.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
AUIRL7736M2TR AUIRL7736M2TR Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES auirl7736m2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 112A; 63W; DirectFET
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 112A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: DirectFET
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
AUIRL7736M2TR AUIRL7736M2TR Виробник : Infineon Technologies 3431920883371950auirl7736m2.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A Automotive 9-Pin Direct-FET M4 T/R
товар відсутній
AUIRL7736M2TR AUIRL7736M2TR Виробник : Infineon Technologies 3431920883371950auirl7736m2.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A Automotive 9-Pin Direct-FET M4 T/R
товар відсутній
AUIRL7736M2TR AUIRL7736M2TR Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES auirl7736m2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 112A; 63W; DirectFET
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 112A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: DirectFET
товар відсутній