AUIRLL024NTR Infineon Technologies


AUIRLL024N.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
330+59.52 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRLL024NTR Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Grade: Automotive, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AUIRLL024NTR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AUIRLL024NTR Infineon AUIRLL024N.pdf MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-224 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLL024NTR AUIRLL024NTR Infineon Technologies AUIRLL024N.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLL024NTR AUIRLL024NTR Infineon / IR auirll024n-1226106.pdf MOSFET 55V Logic Level 3.1A 65 mOhm Auto MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLL024NTR AUIRLL024N.pdf
Виробник: Infineon
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-224 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLL024NTR AUIRLL024N.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLL024NTR auirll024n-1226106.pdf
Виробник: Infineon / IR
MOSFET 55V Logic Level 3.1A 65 mOhm Auto MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.