AUIRLR014N

AUIRLR014N Infineon / IR


auirlr014n-1225235.pdf Виробник: Infineon / IR
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 140mOhms
на замовлення 1497 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRLR014N Infineon / IR

Description: MOSFET N-CH 55V 10A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V.

Інші пропозиції AUIRLR014N за ціною від 18.35 грн до 18.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AUIRLR014N Виробник : International Rectifier AUIRLR014N.pdf N-MOSFET 55V 10A 140mΩ 28W AUIRLR014N International Rectifier TAUIRLR014N
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 225 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 50
AUIRLR014N AUIRLR014N Виробник : Infineon Technologies 9406061698830914auirlr014n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
AUIRLR014N AUIRLR014N Виробник : Infineon Technologies AUIRLR014N.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
товар відсутній