AUIRLR120NTRL Infineon Technologies


auirlr120n-3159719.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms
на замовлення 6619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRLR120NTRL Infineon Technologies

Description: INFINEON - AUIRLR120NTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 48, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції AUIRLR120NTRL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AUIRLR120NTRL AUIRLR120NTRL INFINEON INFN-S-A0002298945-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - AUIRLR120NTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR120NTRL AUIRLR120NTRL INFINEON 2332925.pdf Description: INFINEON - AUIRLR120NTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR120NTRL Infineon INFN-S-A0002298945-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR120NTRL INFN-S-A0002298945-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRLR120NTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR120NTRL 2332925.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRLR120NTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR120NTRL INFN-S-A0002298945-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.