AUIRLR120NTRL INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - AUIRLR120NTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 121.52 грн |
| 500+ | 94.95 грн |
| 1000+ | 73.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRLR120NTRL INFINEON
Description: INFINEON - AUIRLR120NTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 48, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції AUIRLR120NTRL за ціною від 56.08 грн до 172.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AUIRLR120NTRL | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms |
на замовлення 6619 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AUIRLR120NTRL | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRLR120NTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 48 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 48 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 2420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| AUIRLR120NTRL | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
AUIRLR120NTRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
AUIRLR120NTRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
AUIRLR120NTRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
AUIRLR120NTRL | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
AUIRLR120NTRL | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V |
товар відсутній |