AUIRLR3410 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 139+ | 88.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRLR3410 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRLR3410 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 79, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції AUIRLR3410 за ціною від 88.50 грн до 210.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AUIRLR3410 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AUIRLR3410 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AUIRLR3410 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRLR3410 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 79 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 79 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 1791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AUIRLR3410 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
AUIRLR3410 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |