Продукція > INFINEON > AUIRLR3410TRL
AUIRLR3410TRL

AUIRLR3410TRL INFINEON

IRSD-S-A0000226357-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRLR3410TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+81.52 грн
1000+73.84 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRLR3410TRL INFINEON

Description: INFINEON - AUIRLR3410TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції AUIRLR3410TRL за ціною від 69.62 грн до 192.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AUIRLR3410TRL AUIRLR3410TRL International Rectifier IRSD-S-A0000226357-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 97725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+118.34 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR3410TRL AUIRLR3410TRL INFINEON INFN-S-A0002297192-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRLR3410TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+136.20 грн
10+113.22 грн
100+96.81 грн
500+76.95 грн
1000+69.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR3410TRL AUIRLR3410TRL Infineon Technologies auirlr3410-1225220.pdf MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms
на замовлення 6395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.81 грн
10+165.79 грн
100+132.92 грн
250+121.66 грн
500+109.71 грн
1000+90.72 грн
3000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR3410TRL Infineon IRSD-S-A0000226357-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR3410TRL IRSD-S-A0000226357-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRLR3410TRL
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 97725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
170+118.34 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR3410TRL INFN-S-A0002297192-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRLR3410TRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRLR3410TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+136.20 грн
10+113.22 грн
100+96.81 грн
500+76.95 грн
1000+69.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR3410TRL auirlr3410-1225220.pdf
AUIRLR3410TRL
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms
на замовлення 6395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+192.81 грн
10+165.79 грн
100+132.92 грн
250+121.66 грн
500+109.71 грн
1000+90.72 грн
3000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR3410TRL IRSD-S-A0000226357-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.