AUIRLR3410TRL International Rectifier
Виробник: International RectifierDescription: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 205+ | 107.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRLR3410TRL International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AUIRLR3410TRL за ціною від 81.89 грн до 236.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AUIRLR3410TRL | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRLR3410TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
AUIRLR3410TRL | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms |
на замовлення 6395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
AUIRLR3410TRL | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRLR3410TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
AUIRLR3410TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
AUIRLR3410TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
AUIRLR3410TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| AUIRLR3410TRL | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
 |
AUIRLR3410TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
AUIRLR3410TRL | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |