AUIRLR3636TRL Infineon Technologies


auirlr3636-1297930.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms
на замовлення 20935 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+150.48 грн
10+136.17 грн
25+116.30 грн
100+108.54 грн
3000+92.33 грн
6000+88.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRLR3636TRL Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 99A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 143W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Not For New Designs, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AUIRLR3636TRL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
AUIRLR3636TRL Infineon AUIRLR3636.pdf
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR3636TRL AUIRLR3636.pdf
Виробник: Infineon
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.