AUIRLS3034

AUIRLS3034 International Rectifier


IRSDS19250-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
93+215.17 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRLS3034 International Rectifier

Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AUIRLS3034

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AUIRLS3034 AUIRLS3034 Виробник : Infineon Technologies AUIRLS3034.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLS3034 AUIRLS3034 Виробник : Infineon Technologies auirls3034-1297932.pdf MOSFETs Auto 40V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLS3034 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES AUIRLS3034.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 243A; 375W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 243A
Power dissipation: 375W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 108nC
On-state resistance: 1.7mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.