
AUIRLS3034 International Rectifier

Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
113+ | 186.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRLS3034 International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AUIRLS3034 за ціною від 201.97 грн до 248.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AUIRLS3034 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 11200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
AUIRLS3034 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
AUIRLS3034 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
AUIRLS3034 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
AUIRLS3034 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 243A; 375W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 243A Power dissipation: 375W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 108nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
![]() |
AUIRLS3034 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
AUIRLS3034 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
AUIRLS3034 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 243A; 375W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 243A Power dissipation: 375W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 108nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |