Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > AW2K21AR
AW2K21AR

AW2K21AR Rohm Semiconductor

aw2k21are.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 30V 20A, DUAL NCH+NCH, WLCSP2020
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Source
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 22-WLCSP (2x2)
на замовлення 2856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+211.55 грн
10+132.30 грн
100+91.37 грн
500+69.34 грн
1000+66.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AW2K21AR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - AW2K21AR - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 20 A, 3000 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: WLCSP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3000µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції AW2K21AR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AW2K21AR AW2K21AR ROHM Semiconductor aw2k21are.pdf MOSFETs WLCSP 2NCH 30V 20A
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AW2K21AR AW2K21AR ROHM aw2k21are.pdf Description: ROHM - AW2K21AR - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 20 A, 3000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AW2K21AR aw2k21are.pdf
AW2K21AR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs WLCSP 2NCH 30V 20A
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AW2K21AR aw2k21are.pdf
AW2K21AR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - AW2K21AR - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 20 A, 3000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.