
B125C1000G-E4/51 Vishay General Semiconductor
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 75.87 грн |
10+ | 49.92 грн |
100+ | 30.02 грн |
500+ | 24.28 грн |
1000+ | 21.92 грн |
3000+ | 19.64 грн |
6000+ | 18.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B125C1000G-E4/51 Vishay General Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A WOG, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-Circular, WOG, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: WOG, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V, Current - Average Rectified (Io): 1 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Інші пропозиції B125C1000G-E4/51
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
B125C1000G-E4/51 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 3535 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
![]() |
B125C1000G-E4/51 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
B125C1000G-E4/51 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
B125C1000G-E4/51 | Виробник : VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
B125C1000G-E4/51 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-Circular, WOG Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: WOG Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 1 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |