Продукція > B2M040120Z

B2M040120Z


Виробник:
(SiC MOSFET) Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис B2M040120Z

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 51A; Idm: 128A; 348W, Pulsed drain current: 128A, Power dissipation: 348W, Gate charge: 90nC, Polarisation: unipolar, Technology: SiC, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Drain current: 51A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 1.2kV, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: -4...18V, Kind of package: tube, Case: TO247-4, On-state resistance: 40mΩ, Mounting: THT.

Інші пропозиції B2M040120Z

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
B2M040120Z BASiC SEMICONDUCTOR B2M040120Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 51A; Idm: 128A; 348W
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 348W
Gate charge: 90nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 51A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -4...18V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2M040120Z B2M040120Z.pdf
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 51A; Idm: 128A; 348W
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 348W
Gate charge: 90nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 51A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -4...18V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.