
B40C800G-E4/51 Vishay General Semiconductor
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 53.69 грн |
10+ | 44.23 грн |
100+ | 26.49 грн |
500+ | 21.21 грн |
1000+ | 19.52 грн |
3000+ | 17.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B40C800G-E4/51 Vishay General Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 65V 900MA WOG, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-Circular, WOG, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: WOG, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 65 V, Current - Average Rectified (Io): 900 mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 900 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 65 V.
Інші пропозиції B40C800G-E4/51 за ціною від 13.91 грн до 91.30 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
B40C800G-E4/51 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-Circular, WOG Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: WOG Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 65 V Current - Average Rectified (Io): 900 mA Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 900 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 65 V |
на замовлення 1865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
B40C800G-E4/51 | Виробник : General Semiconductor |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
B40C800G-E4/51 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
B40C800G-E4/51 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
B40C800G-E4/51 | Виробник : VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |