B80C800GL-801E4/51 Vishay General Semiconductor
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.76 грн |
| 10+ | 48.11 грн |
| 100+ | 27.96 грн |
| 500+ | 22.38 грн |
| 1000+ | 18.71 грн |
| 2500+ | 17.32 грн |
| 5000+ | 16.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис B80C800GL-801E4/51 Vishay General Semiconductor
Description: GLASS PASSIVATED BRIDGE RECT WOG, Packaging: Bag, Package / Case: 4-Circular, WOG, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: WOG, Voltage - Peak Reverse (Max): 125 V, Current - Average Rectified (Io): 900 mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 900 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 125 V.
Інші пропозиції B80C800GL-801E4/51 за ціною від 17.96 грн до 46.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| B80C800GL-801E4/51 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: GLASS PASSIVATED BRIDGE RECT WOGPackaging: Bag Package / Case: 4-Circular, WOG Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: WOG Voltage - Peak Reverse (Max): 125 V Current - Average Rectified (Io): 900 mA Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 900 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 125 V |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
B80C800GL-801E4/51 | Виробник : Vishay |
Diode Rectifier Bridge Single 125V 0.9A 4-Pin Case WOG |
товару немає в наявності |