Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BAL99E6327
BAL99E6327

BAL99E6327 Infineon Technologies

INFNS10749-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 70 V
на замовлення 249164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8266+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 8266
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BAL99E6327 Infineon Technologies

Description: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 70 V.

Інші пропозиції BAL99E6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BAL99E6327 Виробник : INFINEON INFNS10749-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 06+
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAL 99 E6327 Виробник : Infineon Technologies bal99series-84562.pdf Small Signal Switching Diodes Silicon Tuning Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.