Технічний опис BAP50-05,215 NXP Semiconductors
Description: RF DIODE PIN 50V 250MW SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Diode Type: PIN - 1 Pair Common Cathode, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Capacitance @ Vr, F: 0.5pF @ 5V, 1MHz, Resistance @ If, F: 5Ohm @ 10mA, 100MHz, Voltage - Peak Reverse (Max): 50V, Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB), Current - Max: 50 mA, Power Dissipation (Max): 250 mW.
Інші пропозиції BAP50-05,215
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BAP50-05,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
BAP50-05,215 | Виробник : NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Diode Type: PIN - 1 Pair Common Cathode Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Capacitance @ Vr, F: 0.5pF @ 5V, 1MHz Resistance @ If, F: 5Ohm @ 10mA, 100MHz Voltage - Peak Reverse (Max): 50V Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Current - Max: 50 mA Power Dissipation (Max): 250 mW |
товару немає в наявності |
|
![]() |
BAP50-05,215 | Виробник : NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Diode Type: PIN - 1 Pair Common Cathode Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Capacitance @ Vr, F: 0.5pF @ 5V, 1MHz Resistance @ If, F: 5Ohm @ 10mA, 100MHz Voltage - Peak Reverse (Max): 50V Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Current - Max: 50 mA Power Dissipation (Max): 250 mW |
товару немає в наявності |