BAQ333-TR

BAQ333-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division


baq333.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 40V 200MA MICROMELF
на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BAQ333-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Category: SMD universal diodes, Description: Diode: rectifying; SMD; 40V; 0.2A; MicroMELF; Ufmax: 1V; Ifsm: 2A, Type of diode: rectifying, Mounting: SMD, Case: MicroMELF, Kind of package: reel; tape, Max. off-state voltage: 40V, Load current: 0.2A, Semiconductor structure: single diode, Leakage current: 1nA, Capacitance: 3pF, Max. forward impulse current: 2A, Max. forward voltage: 1V, кількість в упаковці: 5 шт.

Інші пропозиції BAQ333-TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BAQ333-TR Виробник : Vishay Semiconductors baq333-1767646.pdf Diodes - General Purpose, Power, Switching 40 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM
на замовлення 3628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BAQ333-TR (диод)
Код товару: 116333
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
BAQ333-TR Виробник : VISHAY baq333.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 40V; 0.2A; MicroMELF; Ufmax: 1V; Ifsm: 2A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Case: MicroMELF
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1nA
Capacitance: 3pF
Max. forward impulse current: 2A
Max. forward voltage: 1V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BAQ333-TR BAQ333-TR Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division baq333.pdf Description: DIODE GP 40V 200MA MICROMELF
товар відсутній
BAQ333-TR Виробник : VISHAY baq333.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 40V; 0.2A; MicroMELF; Ufmax: 1V; Ifsm: 2A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Case: MicroMELF
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1nA
Capacitance: 3pF
Max. forward impulse current: 2A
Max. forward voltage: 1V
товар відсутній