Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BAS 116 E6433
BAS 116 E6433

BAS 116 E6433 Infineon Technologies

bas116series-60157.pdf Виробник: Infineon Technologies
Small Signal Switching Diodes Silicon Low Leakage Diode
на замовлення 3941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.32 грн
26+13.00 грн
100+5.50 грн
1000+3.23 грн
2500+2.72 грн
10000+2.13 грн
20000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BAS 116 E6433 Infineon Technologies

Description: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V.

Інші пропозиції BAS 116 E6433

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BAS116 E6433 Виробник : Infineon SOT23
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116E6433 BAS116E6433 Виробник : Infineon Technologies SIEMD095-236.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.