BAS 116 E6433 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 17.48 грн |
| 28+ | 11.54 грн |
| 100+ | 6.34 грн |
| 500+ | 3.97 грн |
| 1000+ | 3.27 грн |
| 2500+ | 2.93 грн |
| 5000+ | 2.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAS 116 E6433 Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3, Supplier Device Package: SOT-23-3, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Bulk, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max).
Інші пропозиції BAS 116 E6433
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BAS116 E6433 | Виробник : Infineon | SOT23 |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
BAS116E6433 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Average Rectified (Io): 250mA Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) |
товару немає в наявності |