BAS116HYT116 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 80V 215MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 215mA
Supplier Device Package: SOT-23
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAS116HYT116 Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 80V 215MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 3 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 215mA, Supplier Device Package: SOT-23, Operating Temperature - Junction: 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V.
Інші пропозиції BAS116HYT116 за ціною від 2.58 грн до 25.2 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BAS116HYT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 100V 0.215A 3000ns 3-Pin SSD T/R |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BAS116HYT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 80V 215MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 215mA Supplier Device Package: SOT-23 Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V |
на замовлення 5892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BAS116HYT116 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Diodes - General Purpose, Power, Switching Low-leakage, 80V, 215mA, SOT-23, Single, Switching Diode |
на замовлення 5869 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BAS116HYT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 100V 0.215A 3000ns 3-Pin SSD T/R |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |