на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5837+ | 5.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAS116LSYL Nexperia
Description: NEXPERIA - BAS116LSYL - Kleinsignaldiode, Einfach, 85 V, 325 mA, 1.25 V, 3 µs, 4 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DFN1006BD, Durchlassstoßstrom: 4A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 3µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 325mA, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 85V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BAS116LSYL за ціною від 2.99 грн до 23.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BAS116LSYL | Виробник : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - BAS116LSYL - Kleinsignaldiode, Einfach, 85 V, 325 mA, 1.25 V, 3 µs, 4 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN1006BD Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 3µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 325mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 85V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BAS116LSYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE STD 85V 325MA DFN1006BD2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-882 Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 325mA Supplier Device Package: DFN1006BD-2 Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 85 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V |
на замовлення 4130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BAS116LSYL | Виробник : Nexperia |
Small Signal Switching Diodes DIODE-SS 85V 325MA |
на замовлення 221 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BAS116LSYL | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAS116LSYL - Kleinsignaldiode, Einfach, 85 V, 325 mA, 1.25 V, 3 µs, 4 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN1006BD Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 3µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 325mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 85V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BAS116LSYL | Виробник : NEXPERIA |
Diode Switching 85V 0.325A 2-Pin DFN-BD T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
BAS116LSYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE STD 85V 325MA DFN1006BD2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-882 Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 325mA Supplier Device Package: DFN1006BD-2 Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 85 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V |
товару немає в наявності |