
BAS16DXV6T1G ON Semiconductor
на замовлення 14824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
203+ | 2.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAS16DXV6T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BAS16DXV6T1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, isoliert, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-563, Durchlassstoßstrom: 500mA, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 6ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: BAS16, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BAS16DXV6T1G за ціною від 3.06 грн до 29.53 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BAS16DXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 14824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS16DXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS16DXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS16DXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS16DXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS16DXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS16DXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS16DXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS16DXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3004000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS16DXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 990000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS16DXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS16DXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 47631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS16DXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 47145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS16DXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 19329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS16DXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS16DXV6T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-563 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 6ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BAS16 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS16DXV6T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 6 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC) Supplier Device Package: SOT-563 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V |
на замовлення 6469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS16DXV6T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOT563; Ufmax: 1.25V; Ir: 50uA Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 6ns Semiconductor structure: double independent Capacitance: 2pF Case: SOT563 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 0.5A Power dissipation: 0.5W Kind of package: reel; tape Leakage current: 50µA |
на замовлення 2426 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS16DXV6T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOT563; Ufmax: 1.25V; Ir: 50uA Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 6ns Semiconductor structure: double independent Capacitance: 2pF Case: SOT563 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 0.5A Power dissipation: 0.5W Kind of package: reel; tape Leakage current: 50µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2426 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS16DXV6T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-563 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 6ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BAS16 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS16DXV6T1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1787 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS16DXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BAS16DXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BAS16DXV6T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 6 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC) Supplier Device Package: SOT-563 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V |
товару немає в наявності |