
BAS16HYFHT116 Rohm Semiconductor
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1695+ | 7.18 грн |
1979+ | 6.15 грн |
2090+ | 5.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAS16HYFHT116 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BAS16HYFHT116 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-23, Durchlassstoßstrom: 4A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 4ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BAS16HYFHT116 за ціною від 4.04 грн до 30.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BAS16HYFHT116 | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS16HYFHT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 215mA Supplier Device Package: SOT-23 Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS16HYFHT116 | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS16HYFHT116 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4308 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS16HYFHT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
BAS16HYFHT116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 215mA; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.215A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Case: SOT23 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 4A Kind of package: reel; tape Max. load current: 0.5A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BAS16HYFHT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 215mA Supplier Device Package: SOT-23 Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BAS16HYFHT116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 215mA; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.215A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Case: SOT23 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 4A Kind of package: reel; tape Max. load current: 0.5A |
товару немає в наявності |