Продукція > VISHAY > BAS16L-HG3-08
BAS16L-HG3-08

BAS16L-HG3-08 Vishay

bas16l.pdf Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 0.25A 2-Pin DFN-A Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.66 грн
20000+3.07 грн
30000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BAS16L-HG3-08 Vishay

Description: DIODE STD 100V 250MA DFN10062A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 0402 (1006 Metric), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 0.36pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Supplier Device Package: DFN1006-2A, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BAS16L-HG3-08 за ціною від 3.20 грн до 13.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BAS16L-HG3-08 BAS16L-HG3-08 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas16l.pdf Description: DIODE STD 100V 250MA DFN10062A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.36pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.36 грн
38+8.41 грн
100+6.89 грн
500+4.75 грн
1000+4.10 грн
2000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16L-HG3-08 BAS16L-HG3-08 Виробник : Vishay Semiconductors bas16l.pdf Small Signal Switching Diodes DIODE-SS 100V 250MA DFN-2
на замовлення 7329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
26+13.78 грн
38+9.37 грн
100+6.17 грн
500+4.95 грн
1000+3.89 грн
5000+3.50 грн
10000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16L-HG3-08 Виробник : VISHAY bas16l.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 250mA; 4ns; DFN2; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 9A
Type of diode: switching
Max. forward impulse current: 9A
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Case: DFN2
Max. off-state voltage: 100V
Leakage current: 1µA
Capacitance: 2pF
Application: automotive industry
Technology: Planar
Reverse recovery time: 4ns
Load current: 0.25A
Max. load current: 0.25A
Max. forward voltage: 1.25V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16L-HG3-08 Виробник : Vishay bas16l.pdf Diode Small Signal Switching Si 0.25A Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16L-HG3-08 BAS16L-HG3-08 Виробник : Vishay bas16l.pdf Diode Small Signal Switching Si 0.25A 2-Pin DFN-A Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16L-HG3-08 BAS16L-HG3-08 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas16l.pdf Description: DIODE STD 100V 250MA DFN10062A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.36pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.