BAS16L-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STD 100V 250MA DFN10062A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.36pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 13.09 грн |
| 37+ | 8.59 грн |
| 100+ | 6.45 грн |
| 500+ | 4.58 грн |
| 1000+ | 4.03 грн |
| 2000+ | 3.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAS16L-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 100V 250MA DFN10062A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 0402 (1006 Metric), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 0.36pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Supplier Device Package: DFN1006-2A, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BAS16L-HG3-08 за ціною від 3.33 грн до 15.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BAS16L-HG3-08 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Small Signal Switching Diodes DIODE-SS 100V 250MA DFN-2 |
на замовлення 34274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BAS16L-HG3-08 | Виробник : Vishay |
Diode Small Signal Switching Si 0.25A 2-Pin DFN-A Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BAS16L-HG3-08 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: switching; SMD; 100V; 250mA; 4ns; DFN2; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 9A Type of diode: switching Case: DFN2 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.25A Semiconductor structure: single diode Capacitance: 2pF Max. forward voltage: 1.25V Max. load current: 0.25A Leakage current: 1µA Reverse recovery time: 4ns Technology: Planar Max. forward impulse current: 9A Application: automotive industry |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BAS16L-HG3-08 | Виробник : Vishay |
Diode Small Signal Switching Si 0.25A Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
BAS16L-HG3-08 | Виробник : Vishay |
Diode Small Signal Switching Si 0.25A 2-Pin DFN-A Tube Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BAS16L-HG3-08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE STD 100V 250MA DFN10062A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0402 (1006 Metric) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 0.36pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: DFN1006-2A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |