
BAS16L-QYL Nexperia USA Inc.

Description: DIODE STD 100V 215MA DFN10062
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 215mA
Supplier Device Package: DFN1006-2
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10000+ | 1.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAS16L-QYL Nexperia USA Inc.
Description: DIODE STD 100V 215MA DFN10062, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-882, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 215mA, Supplier Device Package: DFN1006-2, Operating Temperature - Junction: 150°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BAS16L-QYL за ціною від 1.54 грн до 14.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BAS16L-QYL | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 215mA; 4ns; DFN1006-2; Ufmax: 1.25V Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.215A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Case: DFN1006-2 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 4A Power dissipation: 0.25W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: fast switching Leakage current: 50µA Application: automotive industry |
на замовлення 6145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS16L-QYL | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 215mA; 4ns; DFN1006-2; Ufmax: 1.25V Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.215A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Case: DFN1006-2 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 4A Power dissipation: 0.25W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: fast switching Leakage current: 50µA Application: automotive industry кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 6145 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS16L-QYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-882 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 215mA Supplier Device Package: DFN1006-2 Operating Temperature - Junction: 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 20916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS16L-QYL | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 9147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS16L-QYL | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BAS16L-QYL | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BAS16L-QYL | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |