
BAS16LTH-HG3-08 Vishay Semiconductors
на замовлення 17479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
23+ | 15.97 грн |
34+ | 10.43 грн |
100+ | 6.58 грн |
500+ | 4.54 грн |
1000+ | 3.48 грн |
10000+ | 3.33 грн |
20000+ | 2.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAS16LTH-HG3-08 Vishay Semiconductors
Description: DIODE STD 100V 250MA DFN10062A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 0402 (1006 Metric), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 0.36pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Supplier Device Package: DFN1006-2A, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BAS16LTH-HG3-08 за ціною від 4.00 грн до 4.00 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BAS16LTH-HG3-08 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 250mA; 4ns; DFN2; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 9A Type of diode: switching Case: DFN2 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.25A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.25V Max. load current: 0.25A Leakage current: 1µA Reverse recovery time: 4ns Max. forward impulse current: 9A Application: automotive industry |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
BAS16LTH-HG3-08 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
BAS16LTH-HG3-08 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||
![]() |
BAS16LTH-HG3-08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0402 (1006 Metric) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 0.36pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: DFN1006-2A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
BAS16LTH-HG3-08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0402 (1006 Metric) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 0.36pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: DFN1006-2A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |