Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > BAS16LTH-HG3-08
BAS16LTH-HG3-08

BAS16LTH-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

bas16lth.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 100V 250MA DFN10062A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.36pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BAS16LTH-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE STD 100V 250MA DFN10062A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 0402 (1006 Metric), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 0.36pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Supplier Device Package: DFN1006-2A, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BAS16LTH-HG3-08 за ціною від 3.13 грн до 16.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BAS16LTH-HG3-08 BAS16LTH-HG3-08 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas16lth.pdf Description: DIODE STD 100V 250MA DFN10062A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.36pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.80 грн
34+9.50 грн
100+6.81 грн
500+4.70 грн
1000+3.75 грн
2000+3.67 грн
5000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16LTH-HG3-08 BAS16LTH-HG3-08 Виробник : Vishay Semiconductors bas16lth.pdf Small Signal Switching Diodes SWITCHING DIODE GENPURP DFN1006-2A
на замовлення 16659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+16.05 грн
34+10.49 грн
100+6.61 грн
500+4.86 грн
1000+3.80 грн
5000+3.34 грн
10000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16LTH-HG3-08 Виробник : VISHAY bas16lth.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 250mA; 4ns; DFN2; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 9A
Type of diode: switching
Max. forward impulse current: 9A
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Case: DFN2
Max. off-state voltage: 100V
Leakage current: 1µA
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 4ns
Load current: 0.25A
Max. load current: 0.25A
Max. forward voltage: 1.25V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16LTH-HG3-08 BAS16LTH-HG3-08 Виробник : Vishay bas16lth.pdf Diode Small Signal Switching 0.25A 2-Pin DFN-A T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16LTH-HG3-08 Виробник : Vishay bas16lth.pdf SWITCHING DIODE GENPURP DFN1006-2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.