BAS19-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE STANDARD 100V 200MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 2.71 грн |
6000+ | 2.33 грн |
9000+ | 2.19 грн |
15000+ | 1.68 грн |
21000+ | 1.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAS19-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 200MA SOT233, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V.
Інші пропозиції BAS19-E3-08 за ціною від 1.65 грн до 11.18 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BAS19-E3-08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V |
на замовлення 37724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS19-E3-08 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 20486 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS19-E3-08 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BAS19-E3-08 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 200mA; 50ns; SOT23; 1.25V; Ifsm: 2.5A Type of diode: switching Mounting: SMD Load current: 0.2A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Case: SOT23 Leakage current: 0.1µA Max. load current: 0.2A Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 2.5A |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
BAS19-E3-08 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BAS19-E3-08 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |