Технічний опис BAS19-G3-18 Vishay
Description: DIODE GP 100V 200MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V.
Інші пропозиції BAS19-G3-18
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BAS19-G3-18 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
|
BAS19-G3-18 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
BAS19-G3-18 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |