
BAS19LT1G ON Semiconductor
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 0.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAS19LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BAS19LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 120 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-23, Durchlassstoßstrom: 625mA, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 50ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BAS19, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 120V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BAS19LT1G за ціною від 0.81 грн до 9.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BAS19LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V |
на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BAS19LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BAS19LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BAS19LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BAS19LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BAS19LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BAS19LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BAS19LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 625mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS19 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 120V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 11732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BAS19LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BAS19LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V |
на замовлення 170404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BAS19LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 86948 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BAS19LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 120V; 0.2A; SOT23; Ufmax: 1V; reel,tape Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 120V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Capacitance: 5pF Max. forward voltage: 1V |
на замовлення 6071 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BAS19LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 625mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS19 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 120V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 11732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BAS19LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 120V; 0.2A; SOT23; Ufmax: 1V; reel,tape Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 120V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Capacitance: 5pF Max. forward voltage: 1V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6071 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
BAS19LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
BAS19LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
BAS19LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |