BAS21-HE3-18 Vishay Semiconductors



Виробник: Vishay Semiconductors
Small Signal Switching Diodes 250 Volt 625mA 50ns
на замовлення 20248 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
20+16.94 грн
29+11.35 грн
100+6.27 грн
500+3.88 грн
1000+3.24 грн
2500+2.82 грн
5000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BAS21-HE3-18 Vishay Semiconductors

Description: DIODE GP 200V 200MA SOT23-3, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: SOT-23-3, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BAS21-HE3-18

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BAS21-HE3-18 BAS21-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GP 200V 200MA SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS21-HE3-18 BAS21-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GP 200V 200MA SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS21-HE3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 200V 200MA SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS21-HE3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 200V 200MA SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.