на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12346+ | 2.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAS21E6359HTMA1 Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Last Time Buy, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BAS21E6359HTMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BAS21E6359HTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: PG-SOT23 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |