Технічний опис BAS21E6433HTMA1 Infineon
Description: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V.
Інші пропозиції BAS21E6433HTMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
BAS21E6433HTMA1 | Infineon Technologies |
Diode Switching Si 250V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
BAS21E6433HTMA1 | Infineon Technologies |
Description: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: PG-SOT23 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40000 шт В кошику од. на суму грн. |
| BAS21E6433HTMA1 | Infineon Technologies |
Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40000 шт В кошику од. на суму грн. |
| BAS21E6433HTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Switching Si 250V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Diode Switching Si 250V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BAS21E6433HTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BAS21E6433HTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40000 шт
В кошику
од. на суму грн.




