BAS21E6433HTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 1.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAS21E6433HTMA1 Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V.
Інші пропозиції BAS21E6433HTMA1 за ціною від 1.90 грн до 2.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BAS21E6433HTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Switching Si 250V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
BAS21E6433HTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Switching Si 250V 0.25A 50ns Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| BAS21E6433HTMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 140000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
|
BAS21E6433HTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Switching Si 250V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||
|
BAS21E6433HTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: PG-SOT23 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V |
товару немає в наявності |
|||||
| BAS21E6433HTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode |
товару немає в наявності |

