BAS21QAZ

BAS21QAZ Nexperia


bas21qa.pdf Виробник: Nexperia
Rectifier Diode Switching 250V 0.33A 50ns 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 11849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10564+1.11 грн
10639+ 1.1 грн
10949+ 1.07 грн
11030+ 1.02 грн
11112+ 0.94 грн
Мінімальне замовлення: 10564
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BAS21QAZ Nexperia

Description: NEXPERIA - BAS21QAZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 330 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-1215, Durchlassstoßstrom: 9A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 50ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 330mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BAS21QAZ за ціною від 0.84 грн до 23.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BAS21QAZ BAS21QAZ Виробник : Nexperia bas21qa.pdf Rectifier Diode Switching 250V 0.33A 50ns 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 11849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
179+3.25 грн
269+ 2.16 грн
272+ 2.14 грн
564+ 0.99 грн
568+ 0.91 грн
584+ 0.85 грн
1000+ 0.84 грн
Мінімальне замовлення: 179
BAS21QAZ BAS21QAZ Виробник : Nexperia USA Inc. BAS21QA.pdf Description: DIODE GP 250V 330MA DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 330mA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BAS21QAZ BAS21QAZ Виробник : Nexperia BAS21QA-2937112.pdf Diodes - General Purpose, Power, Switching BAS21QA/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 3672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+20.25 грн
24+ 13.28 грн
100+ 5.67 грн
1000+ 3.54 грн
5000+ 3.27 грн
10000+ 2.8 грн
25000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 16
BAS21QAZ BAS21QAZ Виробник : Nexperia bas21qa.pdf Rectifier Diode Switching 250V 0.33A 50ns Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+20.65 грн
42+ 14.02 грн
100+ 6.5 грн
500+ 6.21 грн
1000+ 3.57 грн
2000+ 3.4 грн
5000+ 3.01 грн
10000+ 2.57 грн
25000+ 2.45 грн
Мінімальне замовлення: 29
BAS21QAZ BAS21QAZ Виробник : Nexperia USA Inc. BAS21QA.pdf Description: DIODE GP 250V 330MA DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 330mA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.11 грн
18+ 15.51 грн
100+ 7.57 грн
500+ 5.92 грн
1000+ 4.11 грн
2000+ 3.56 грн
Мінімальне замовлення: 13
BAS21QAZ BAS21QAZ Виробник : NEXPERIA 2787507.pdf Description: NEXPERIA - BAS21QAZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 330 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-1215
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 330mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BAS21QAZ BAS21QAZ Виробник : NEXPERIA 2787507.pdf Description: NEXPERIA - BAS21QAZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 330 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-1215
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 330mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BAS21QAZ BAS21QAZ Виробник : Nexperia bas21qa.pdf Rectifier Diode Switching 250V 0.33A 50ns 3-Pin DFN-D EP T/R
товар відсутній
BAS21QAZ Виробник : NEXPERIA BAS21QA.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 330mA; 50ns; DFN1010D-3,SOT1215
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 330mA
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 2pF
Case: DFN1010D-3; SOT1215
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 9A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BAS21QAZ Виробник : NEXPERIA BAS21QA.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 330mA; 50ns; DFN1010D-3,SOT1215
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 330mA
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 2pF
Case: DFN1010D-3; SOT1215
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 9A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: reel; tape
товар відсутній