
на замовлення 11850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3135+ | 2.41 грн |
6000+ | 2.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAS21QAZ Nexperia
Description: NEXPERIA - BAS21QAZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 330 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-1215, Durchlassstoßstrom: 9A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 50ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 330mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BAS21QAZ за ціною від 2.45 грн до 21.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BAS21QAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 330mA Supplier Device Package: DFN1010D-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAS21QAZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 11850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAS21QAZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 125000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAS21QAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 330mA Supplier Device Package: DFN1010D-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 14201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAS21QAZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAS21QAZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3342 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAS21QAZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-1215 Durchlassstoßstrom: 9A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 330mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
![]() |
BAS21QAZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-1215 Durchlassstoßstrom: 9A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 330mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
![]() |
BAS21QAZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
BAS21QAZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 250V; 330mA; 50ns; DFN1010D-3,SOT1215 Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 250V Load current: 330mA Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: DFN1010D-3; SOT1215 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 9A Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Leakage current: 0.1mA Capacitance: 2pF кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
BAS21QAZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 250V; 330mA; 50ns; DFN1010D-3,SOT1215 Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 250V Load current: 330mA Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: DFN1010D-3; SOT1215 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 9A Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Leakage current: 0.1mA Capacitance: 2pF |
товару немає в наявності |