
BAS3010S02LRHE6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
15000+ | 8.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAS3010S02LRHE6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BAS3010S02LRHE6327XTSA1 - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, TSLP-2-17, 2 Pin(s), 650 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TSLP-2-17, Durchlassstoßstrom: 4A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 650mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: BAS301, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BAS3010S02LRHE6327XTSA1 за ціною від 8.45 грн до 48.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BAS3010S02LRHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-882 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: PG-TSLP-2-17 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS3010S02LRHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS3010S02LRHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS3010S02LRHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS3010S02LRHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS3010S02LRHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 14350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS3010S02LRHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS3010S02LRHE6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TSLP-2-17 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 650mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BAS301 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 13835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS3010S02LRHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS3010S02LRHE6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TSLP-2-17 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 650mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BAS301 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 13835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS3010S02LRHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS3010S02LRHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-882 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: PG-TSLP-2-17 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V |
на замовлення 24920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS3010S02LRHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 26079 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS3010S02LRHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BAS3010S02LRHE6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |