
BAS35,215 Nexperia
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
18000+ | 3.67 грн |
21000+ | 3.63 грн |
24000+ | 3.56 грн |
30000+ | 3.35 грн |
75000+ | 2.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAS35,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - BAS35,215 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 110 V, 150 mA, 1.25 V, 50 ns, 10 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-23, Durchlassstoßstrom: 10A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 50ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 110V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BAS35,215 за ціною від 3.18 грн до 22.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BAS35,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS35,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS35,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 285000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS35,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS35,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS35,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 216000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS35,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 11900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS35,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 78590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS35,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS35,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS35,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 110V; 150mA; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V Mounting: SMD Reverse recovery time: 50ns Case: SOT23 Max. forward impulse current: 10A Load current: 0.15A Semiconductor structure: common anode; double Max. forward voltage: 1.25V Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Max. off-state voltage: 110V Kind of package: reel; tape Type of diode: switching |
на замовлення 1180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS35,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 5420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS35,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Avalanche Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA (DC) Supplier Device Package: TO-236AB Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 90 V Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 2022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS35,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 110V; 150mA; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V Mounting: SMD Reverse recovery time: 50ns Case: SOT23 Max. forward impulse current: 10A Load current: 0.15A Semiconductor structure: common anode; double Max. forward voltage: 1.25V Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Max. off-state voltage: 110V Kind of package: reel; tape Type of diode: switching кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1180 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BAS35,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 10A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 110V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 78590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BAS35,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
BAS35,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BAS35,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BAS35,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Avalanche Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA (DC) Supplier Device Package: TO-236AB Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 90 V Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |