BAS4002LE6327XTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15000+ | 1.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAS4002LE6327XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BAS4002LE6327XTMA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 A, 150 °C, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TSLP-2-1, Durchlassstoßstrom: 200A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 40V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BAS4002LE6327XTMA1 за ціною від 3.40 грн до 21.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BAS4002LE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Diode Schottky Si 0.12A 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BAS4002LE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky Si 0.12A 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BAS4002LE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky Si 0.12A 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BAS4002LE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky Si 0.12A 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 60881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BAS4002LE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky Si 0.12A 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 14998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BAS4002LE6327XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BAS4002LE6327XTMA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 A, 150 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TSLP-2-1 Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 14521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BAS4002LE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky Si 0.12A 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 60881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BAS4002LE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky Si 0.12A 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 14998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BAS4002LE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky Si 0.12A 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 29900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BAS4002LE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky Si 0.12A 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 435000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BAS4002LE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky Si 0.12A 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BAS4002LE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky Si 0.12A 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BAS4002LE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky Si 0.12A 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BAS4002LE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky Si 0.12A 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BAS4002LE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky Si 0.12A 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 435000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BAS4002LE6327XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BAS4002LE6327XTMA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 A, 150 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TSLP-2-1 Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 14521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BAS4002LE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Schottky Didode |
на замовлення 20071 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BAS4002LE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky Si 0.12A 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 315000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BAS4002LE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky Si 0.12A 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BAS4002LE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SCHOTTK 40V 120MA PGTSLP21 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-882 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 100 ps Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 120mA Supplier Device Package: PG-TSLP-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 30 V |
на замовлення 12845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BAS4002LE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky Si 0.12A 2-Pin TSLP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
BAS4002LE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky Si 0.12A 2-Pin TSLP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
BAS4002LE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SCHOTTK 40V 120MA PGTSLP21 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-882 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 100 ps Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 120mA Supplier Device Package: PG-TSLP-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 30 V |
товару немає в наявності |