BAT1502ELE6327XTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 11526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 44+ | 13.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAT1502ELE6327XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BAT1502ELE6327XTMA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, TSLP-2-19, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TSLP-2-19, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, usEccn: EAR99, Sperrspannung: 4V, euEccn: NLR, Durchlassspannung: 410mV, Diodenkapazität: 0.35pF, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: BAT15, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Durchlassstrom: 110mA, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BAT1502ELE6327XTMA1 за ціною від 12.08 грн до 49.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BAT1502ELE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Diode RF Schottky 4V 100mW 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 11526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BAT1502ELE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode RF Schottky 4V 100mW 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 13758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BAT1502ELE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode RF Schottky 4V 100mW 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 9113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BAT1502ELE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode RF Schottky 4V 100mW 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 9113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BAT1502ELE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode RF Schottky 4V 100mW 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 170600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BAT1502ELE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode RF Schottky 4V 100mW 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 1584015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BAT1502ELE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode RF Schottky 4V 100mW 2-Pin TSLP T/R |
на замовлення 1588600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BAT1502ELE6327XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BAT1502ELE6327XTMA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, TSLP-2-19 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TSLP-2-19 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach usEccn: EAR99 Sperrspannung: 4V euEccn: NLR Durchlassspannung: 410mV Diodenkapazität: 0.35pF Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BAT15 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Durchlassstrom: 110mA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 14855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BAT1502ELE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSLP219 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0402 (1006 Metric) Diode Type: Schottky - Single Operating Temperature: 150°C (TJ) Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz Voltage - Peak Reverse (Max): 4V Supplier Device Package: PG-TSLP-2-19 Part Status: Active Current - Max: 110 mA Power Dissipation (Max): 100 mW |
на замовлення 12950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BAT1502ELE6327XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BAT1502ELE6327XTMA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, TSLP-2-19 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TSLP-2-19 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach usEccn: EAR99 Sperrspannung: 4V euEccn: NLR Durchlassspannung: 410mV Diodenkapazität: 0.35pF Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BAT15 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Durchlassstrom: 110mA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 14855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BAT1502ELE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers RF DIODES |
на замовлення 10589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BAT1502ELE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode RF Schottky 4V 100mW 2-Pin TSLP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
 |
BAT1502ELE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
RF Diode Schottky 4V 100mW 2-Pin TSLP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
BAT1502ELE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode RF Schottky 4V 100mW 2-Pin TSLP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
BAT1502ELE6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSLP219 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0402 (1006 Metric) Diode Type: Schottky - Single Operating Temperature: 150°C (TJ) Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz Voltage - Peak Reverse (Max): 4V Supplier Device Package: PG-TSLP-2-19 Part Status: Active Current - Max: 110 mA Power Dissipation (Max): 100 mW |
товару немає в наявності |