BAT1502LSE6433XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSSLP23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.23pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 10Ohm @ 50mA, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-3
Part Status: Active
Current - Max: 110 mA
Power Dissipation (Max): 100 mW
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 58.89 грн |
| 10+ | 35.44 грн |
| 100+ | 22.91 грн |
| 500+ | 16.42 грн |
| 1000+ | 14.79 грн |
| 2000+ | 13.41 грн |
| 5000+ | 11.72 грн |
| 10000+ | 11.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAT1502LSE6433XTMA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSSLP23, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: 0201 (0603 Metric), Diode Type: Schottky - Single, Operating Temperature: 150°C (TJ), Capacitance @ Vr, F: 0.23pF @ 0V, 1MHz, Resistance @ If, F: 10Ohm @ 50mA, 1MHz, Voltage - Peak Reverse (Max): 4V, Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-3, Part Status: Active, Current - Max: 110 mA, Power Dissipation (Max): 100 mW.
Інші пропозиції BAT1502LSE6433XTMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BAT1502LSE6433XTMA1 | Infineon Technologies |
Silicon RF Schottky Diode Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 70000 шт В кошику од. на суму грн. |
| BAT1502LSE6433XTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Silicon RF Schottky Diode Automotive AEC-Q101
Silicon RF Schottky Diode Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 70000 шт
В кошику
од. на суму грн.